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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FFSH10120ADN-F155 | Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSH10120ADN-F155 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：SIC 1200V DIODE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSH10120ADN-F155 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-3L | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-12-31 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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