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FFSH10120A-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：446.33 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSH10120A-F085 | 封装/外壳：TO-247-2 包装：散装 描述：1200V 10A AUTO SIC SBD 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSH10120A-F085 | SiC 肖特基整流器，1200 V，10 A | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：365.7 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-8FFB0824VHE
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2020-1-13
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