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FFSD10120A_V01

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,10A,1200V,D1,DPAK-3L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-5-24 17:54:00
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