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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FFSD10120A_V01 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, DPAK-3L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-12-31 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
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1.27间距 20P 总长5cm 同向 |
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三年内 |
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2020-1-13
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