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FFSB0665A | Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 6 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSB0665A | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：314.2 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB0665A | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SBD 6A 650V D2PAK-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB0665A | SiC 二极管，650V，6A，D2PAK | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 6 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 6 A 文件：380.94 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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Internally Matched LNA Module 文件：214.31 Kbytes Page：3 Pages | ASB | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
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