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位置：首页 > IC中文资料第5208页 > FF600R12

FF600R12价格

参考价格：￥2917.3172

型号：FF600R12IE4 品牌：INFINEON AEMC REGION ASI 备注：这里有FF600R12多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FF600R12批发/采购报价，FF600R12行情走势销售排行榜，FF600R12报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FF600R12IE4

E v a l u a t i o n D r i v e r B o a r d f o r 1 2 0 0 V PrimePACK™

1 Introduction The 2ED250E12-F evaluation driver board shown in Fig. 1 was developed to support customers during their first design steps with the 1200V PrimePACK™ IGBT module. The evaluation driver board is a fully functional IGBT module driver where two 1ED020I12-F driver IC process control a

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4

E v a l u a t i o n D r i v e r B o a r d f o r 1 2 0 0 V PrimePACK™

1 Introduction The 2ED250E12-F evaluation driver board shown in Fig. 1 was developed to support customers during their first design steps with the 1200V PrimePACK™ IGBT module. The evaluation driver board is a fully functional IGBT module driver where two 1ED020I12-F driver IC process control a

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4P

PrimePACK™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

Electrical Features • High short-circuit capability • High surge current capability • High current density • Tvj op = 150°C • VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features • 4 kV AC 1min insulation • Package with CTI > 400 • High creepage and clearance distances • In

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4V

PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

Electrical Features • Extended Operation Temperature Tvj op • High DC Stability •High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current • Low VCEsat • Unbeatable Robustness • VCEsat with positive Temperature Coefficient Mechanical Features • 4 kV AC 1min Insulation • Packag

Infineon

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FF600R12KE7

62 mm C-Series module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode

Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 600 A / ICRM = 1200 A - TRENCHSTOPTM IGBT7 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - High creepage and clearance distances - High power density - Isolated base plate - Pack

Infineon

英飞凌

FF600R12KE7_E

62 mm C-Series module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode

Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 600 A / ICRM = 1200 A - TRENCHSTOPTM IGBT7 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - High creepage and clearance distances - High power density - Isolated base plate - Pack

Infineon

英飞凌

FF600R12KE7BPSA1

62 mm C-Series module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode

Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 600 A / ICRM = 1200 A - TRENCHSTOPTM IGBT7 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - High creepage and clearance distances - High power density - Isolated base plate - Pack

Infineon

英飞凌

FF600R12KT4

62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 600 A / ICRM = 1200 A - Unbeatable robustness - Extended operating temperature Tvj op - Low switching losses - Low VCEsat - VCEsat with positive temperature coefficient • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - Package w

Infineon

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FF600R12ME4W_B73

EconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode and PressFIT / NTC

Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 600 A / ICRM = 1200 A - Low VCE,sat - Tvj,op = 150°C - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - Direct-cooled base plate - Isolated base plate - High power density - Standard housing

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4

PrimePACK?? Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC

文件：1.23961 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4

PrimePACK2 Modul mit Trench

文件：1.70705 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4_13

PrimePACK2 Modul mit Trench

文件：1.70705 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4PNOSA1

封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 600A 3350W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4V

IGBT模块

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4V

PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC

文件：1.70682 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IE4VBOSA1

封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 600A 3350W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4

IGBT模块

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4

PrimePACK2 Modul mit Trench

文件：1.7171 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4

PrimePACK?? Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC

文件：1.24346 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4_13

PrimePACK2 Modul mit Trench

文件：1.7171 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12IP4P

IGBT 模块

Infineon

英飞凌

FF600R12IS4F

PRIMEPACK 2 MODULE WITH FAST IGBT2 AND SIC DIODE FOR HIGH FREQUENCY SWITCHING AND NTC

文件：2.97731 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12KE3

IGBT-Modules

文件：147.57 Kbytes Page：9 Pages

eupec

FF600R12KE4

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

文件：609.21 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12KE4_E

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

文件：608.22 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12KE4P

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

文件：573.97 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12KF4

IGBT High-Power Module

文件：365.7 Kbytes Page：4 Pages

eupec

FF600R12ME4

EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC

文件：512.58 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件：606.27 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4_13

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件：606.27 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4_B11

EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and PressFIT / NTC

文件：557.05 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4_B11

FF600R12ME4_B11

文件：686.29 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4_B72

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件：556.04 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4_B73

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件：636.83 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4A_B11

High Power and Thermal Cycling Capability

文件：649.32 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4A_B11_15

High Power and Thermal Cycling Capability

文件：649.32 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4B11BPSA2

FF600R12ME4_B11

文件：686.29 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4C

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件：609.26 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4C_B11

EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC

文件：690.47 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4E_B11

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件：621.79 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4P

EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

文件：587.6 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4P_B11

EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTC / TIM

文件：587.82 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME4P_B72

EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FF600R12ME7_B11

EconoDUAL?? module with TRENCHSTOP?줚GBT7 and Emitter Controlled 7 diode and NTC

文件：592.18 Kbytes Page：15 Pages

Infineon

英飞凌

SD600R12PC

300A Stud Version Standard Recovery Diode for Generator Exciter

Features ※ ThinkiSemi matured process rectifier diodes ※ Low forward voltage drop ※ High current capability/High reverse voltage ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Converters/Power supplies/Machine tool controls ※ Turbo Generators with Brushless Exc

THINKISEMI

思祁半导体

FF600R12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FF600R12

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT-MODULE

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

FF600R12供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
FF600R12IE4P
Infineon(英飞凌)
24+
AG-PRIME2-1
909
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
FF600R12IE4
Infineon(英飞凌)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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深圳市科芯源微电子有限公司
FF600R12IE4
INF
25+
原厂原封可拆样
54285
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
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深圳市华睿芯科技有限公司
FF600R12IE4
Infineon Technologies
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
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中天科工半导体（深圳）有限公司
FF600R12IE4
原装
25+
MODULE
9835
热卖原装现货FF600R12IE4
询价
深圳市星宇佳科技有限公司
FF600R12IE4
INFINEON/英飞凌
19+
MODULE
200
原装现货支持BOM配单服务
询价
深圳市朱博士电子科技有限公司
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon
2526+
原厂封装
5000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273013邹小姐
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深圳市正纳电子有限公司
FF600R12IE4
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市赛美科科技有限公司
FF600R12IE4
INFINEON
MODULE
7562
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
FF600R12IE4V
INFINEON/英飞凌
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价

FF600R12芯片相关品牌

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FF600R12参数引脚图相关

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    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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