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FF1400R12IP4	PrimePACK??ModulmitTrench/FieldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC 文件：1.23239 Mbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FF1400R12IP4BOSA1	封装/外壳：模块包装：托盘描述：IGBT MODULE 1200V 1400A 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FF1400R12IP4P	PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 文件：643.15 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FF1400R12IP4PBOSA1	封装/外壳：模块包装：散装描述：IGBT MODULE 1200V 1400A 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
DF1400R12IP4D	PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr철횩ererEmitterControlled4Diode 文件：1.22716 Mbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
FD1400R12IP4D	PrimePACK3ModulmitTrench/Fieldstop1GBT4,grobererEmitterControlled4Diode 文件：515.429 Kbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

FF1400R12IP4产品属性

类型
描述
型号
FF1400R12IP4
功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 1.4KA
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装/箱体
34MM

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更新时间：2025-8-1 23:00:00

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