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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FD1400R12IP4D | PrimePACK3 Modul mit Trench/Fieldstop 1GBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode 文件：515.429 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
FD1400R12IP4D | IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MOD 1200V 1400A 7700W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
E v a l u a t i o n D r i v e r B o a r d f o r 1 2 0 0 V PrimePACK™ 1 Introduction The 2ED250E12-F evaluation driver board shown in Fig. 1 was developed to support customers during their first design steps with the 1200V PrimePACK™ IGBT module. The evaluation driver board is a fully functional IGBT module driver where two 1ED020I12-F driver IC process control a | Infineon 英飞凌 | | ||
PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr철횩erer Emitter Controlled 4 Diode 文件：1.22716 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
PrimePACK?? Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC 文件：1.23239 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 文件：643.15 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
FD1400R12IP4D产品属性
- 类型
描述
- 型号
FD1400R12IP4D
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT 1200V 1400A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
25+ |
模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
INF |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
||||
Infineon |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
INFINEON |
两年内 |
N/A |
2 |
原装现货,实单价格可谈 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-PRIME3-1 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-PRIME3-1 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
|||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
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- FD1430016
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2019-11-15
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