FDS6673BZ价格

参考价格:¥2.8869

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDS6673BZ

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Ohm

文件:376.5 Kbytes Page:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDS6673BZ

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,14.5A,7.8mΩ

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-14.5A,7.8mΩ

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m廓

文件:510.81 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:994.95 Kbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

文件:130.669 Kbytes Page:5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Precision Potentiometer / Position Sensor

文件:256.23 Kbytes Page:3 Pages

BITECH

80 MHz Bandwidth, Dual IF Receiver

文件:1.11551 Mbytes Page:45 Pages

AD

亚德诺

80 MHz Bandwidth, Dual IF Receiver

文件:1.17741 Mbytes Page:46 Pages

AD

亚德诺

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30 V, -28 A, 6.8 m?

文件:283.67 Kbytes Page:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDS6673BZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDS6673BZ

  • 功能描述

    MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-27 11:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
25+
SOP8
410
全新原装正品支持含税
ON/安森美
24+
SOP
2024
原装正品,现货库存,1小时内发货
ONSEMI
23+
FDS6673BZ
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
ON/FSC
1933
SOIC-8
3
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON(安森美)
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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ONSEMI/安森美全新特价FDS6673BZ即刻询购立享优惠#长期有货
FAIRCHILD/仙童
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SOP-8
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
三年内
1983
只做原装正品
NK/南科功率
9420
SOP-8
36520
国产南科平替供应大量

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