60V N-Channel PowerTrench??MOSFET

60V N-Channel PowerTrench® MOSFET

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，10A，14mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 •10 A，60 V。 RDS(ON) = 0.014 Ω @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = 6 V\n•低栅极电荷\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features ® Vos = 60Vo 8A Roson

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 48 A, 60 V. RDS(ON) = 0.015 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 6 V. • Low gate cha

SAM5670

Features • Milky diffusion lens type • φ5mm(T-13/4) all plastic mold type • Radiation color (Amber, Y-Green) • Low power consumption

Dual LED Lamp

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Dual LED Lamp

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