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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FDP8876 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.7mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv | ISC 无锡固电 | ||
FDP8876 | N-Channel PowerTrench MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | ||
FDP8876 | N-Channel PowerTrench MOSFET 文件:303.1 Kbytes Page:6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
SpaceMaker™, 5 C #20 Str TC, PO Ins, OS, PVC Jkt, AWM 2937 Product Description SpaceMaker™, 5 Conductor 20AWG (26x34) Tinned Copper, PO Insulation, Overall Beldfoil® Shield, PVC Outer Jacket, AWM 2937 | BELDEN 百通 | |||
1.6X LINEAR FAN DRIVER WITH VOUT FULLY ON CONTROL 文件:453.82 Kbytes Page:10 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |||
1.6X LINEAR FAN DRIVER WITH VOUT FULLY ON CONTROL 文件:453.82 Kbytes Page:10 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |||
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Output Coupling Capacitor-less Line Amplifier 文件:1.11174 Mbytes Page:24 Pages | ROHM 罗姆 |
FDP8876产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDP8876
- 功能描述
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FSC |
23+ |
TO-220 |
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30000 |
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FSC |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ONSEMI/安森美 |
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2022-1-20FDS3572-NL
FDS3572-NL
2021-11-9FDPF18N50
FDPF18N50,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-28FDPF18N50
FDPF18N50,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25FDP085N10A只做原装正品现货
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2020-10-6FDN360P公司原装现货/随时可以发货
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2019-4-13
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