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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.8mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-28 9:19:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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1983
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