FDP61N20价格

参考价格:¥7.7859

型号:FDP61N20 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FDP61N20多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDP61N20批发/采购报价,FDP61N20行情走势销售排行榜,FDP61N20报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDP61N20

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

FAIRCHILD

仙童半导体

FDP61N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=61A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =41mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

FDP61N20

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,200V,61A,41mΩ,TO-220

ONSEMI

安森美半导体

FDP61N20

200V N-Channel MOSFET

文件:657.93 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

文件:1.82615 Mbytes Page:7 Pages

KERSEMI

Voltage Detector

文件:402.82 Kbytes Page:7 Pages

TSC

台湾半导体

FDP61N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP61N20

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Channel MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-15 15:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
TO-220-3
8080
只做原装,质量保证
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
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FCS
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FAIRCHILD/仙童
21+
TO220
1709
ON
25+
原装优势现货
11200
原装优势现货
FAIRCHILD/仙童
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票

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