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FDP2D9N12C

MOSFET - N-Channel, Shielded Gate PowerTrench 120 V, 2.95 m, 181 A

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ONSEMI

安森美半导体

FDP2D9N12C

MOSFET - N-Channel, Shielded Gate PowerTrench 120 V, 2.95 mΩ, 181 A

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-18 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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