型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID = 171A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.9mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 171A, 3.9mW

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Fairchild

仙童半导体

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-10-17 12:13:01
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