FDP027N08B价格

参考价格:¥12.2245

型号:FDP027N08B_F102 品牌:Fairchild 备注:这里有FDP027N08B多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDP027N08B批发/采购报价,FDP027N08B行情走势销售排行榜,FDP027N08B报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDP027N08B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=223A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDP027N08B

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文件:3.23672 Mbytes Page:12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDP027N08B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP027N08B

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    PowerTrench®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-16 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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