N 沟道，双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET，150V，72A，9.0mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 9.0 mΩ（VGS = 10 V、ID = 13 A）\n• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 11 A）\n• 低rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• 薄型 8x8mm MLP 封装\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;