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FDMS86350数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Power-56-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
配置: Single
商标名: PowerTrench Power Clip
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.8 mm
长度: 3.3 mm
系列: FDMS86350
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 70 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 34 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 56.500 mg
