N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，35A，18mΩ

这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•VGS = 10V，ID = 9.6A时，最大rDS(on) = 18mΩ\n•VGS = 6V，ID = 8.8A时，最大rDS(on) = 21mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1 耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 49 A, 18 m廓

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DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs

Dual Cool™ packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance flexibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

N 沟道双 CoolTM 56 屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V，40A，17mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，该工艺融入了栅极屏蔽技术。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装\n•最大值rDS(on) = 17 mΩ（在VGS = 10 V, ID = 9.3 A时）\n•最大值rDS(on) = 25 mΩ（在VGS = 6 V, ID = 7.8 A时）\n•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel Enhancement MOSFET

Application « Load switch | « High Frequency Switching and ~~ Synchronous Rectification « Active Clamp in Intermediate ~~ o DC/DC Power Supplies

包装：卷带（TR） 描述：FET 150V 18.0 MOHM PQFN56 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

MP Meter Pak, main lugs, six ringed sockets, no bypass, 4 jaws, OH, UG, 800 A bus, 200 A, 240 VAC single phase 3W

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Spacial CRN plain door w/o mount.plate. H800xW600xD200 IP66 IK10 RAL7035..

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Spacial CRN plain door with mount.plate. H800xW600xD200 IP66 IK10 RAL7035..

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