N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，9.4A，134mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10 V，ID = 2.8 A时，rDS(on) = 134 mΩ（最大值）\n•VGS = 6 V，ID = 2.4 A时，rDS(on) = 186 mΩ（最大值）\n•薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 9.4 A, 134 m廓

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 2.3 A, 144 m廓

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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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N-Channel Enhancement MOSFET

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N-Channel Power Trench MOSFET

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