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20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-10-31 11:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-3P;TO-220F/263-3L
150000
挂的就有,常备现货
Infineon
23+
TO-247
5000
专注配单,只做原装进口现货

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    2023-2-24
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    进口代理

    2022-7-26
  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-11-3
  • FDG6317NZ

    FDG6317NZ

    2021-11-2
  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-9-14
  • FDMC6675

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-23