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6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’s CGHV1J006D is a high voltage gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on a silicon carbide substrate, using a 0.25 μm gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high frequency, high efficiency features. It is ideal for

WOLFSPEED

6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

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Cree

科锐

更新时间:2025-10-30 18:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
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    进口代理

    2022-7-26
  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-11-3
  • FDG6317NZ

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    2021-11-2
  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-9-14
  • FDMC6675

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-23