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FDFMA2N028Z价格
参考价格：￥1.6227
型号：FDFMA2N028Z 品牌：Fairchild 备注：这里有FDFMA2N028Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDFMA2N028Z批发/采购报价，FDFMA2N028Z行情走势销售排行榜，FDFMA2N028Z报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDFMA2N028Z | Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description This device is designed specifically as a single package solution for a boost topology in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance, and an independently connected schottky diode with low forward voltage. The Micr | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FDFMA2N028Z | Integrated N-Channel PowerTrench짰 MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68m廓 文件：1.23423 Mbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
FDFMA2N028Z | 集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，20V，3.7A，68mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Integrated N-Channel PowerTrench짰 MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68m廓 文件：1.23423 Mbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FDFMA2N028Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDFMA2N028Z
- 功能描述
MOSFET 20V N-Ch PT MFET_SCHOTTKY
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
23+ |
DFN |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
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|||
ON/安森美 |
2025+ |
WDFN-6 |
5000 |
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FAIRCHILD |
0708+ |
DFN |
20 |
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|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
MicroFET 2X2 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Fairchild |
24+ |
Microfet2x2 |
7500 |
||||
FAIRCHILD |
23+ |
DFN |
2563 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
24+ |
DFN6 |
9000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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