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FDD8896价格

参考价格：￥1.9500

型号：FDD8896 品牌：Fairchild 备注：这里有FDD8896多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDD8896批发/采购报价，FDD8896行情走势销售排行榜，FDD8896报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDD8896-F085

丝印代码：FDD8896；N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed. Features • rD

ONSEMI

安森美半导体

FDD8896

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=94A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5.7mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

FDD8896

30V N-Channel MOSFET

Features VDS (V) = 30V ID = 35A (VGS = 10V) RDS(ON) =5.7mW (VGS = 10V) RDS(ON) =6.8mW (VGS = 4.5V)

UMW

友台半导体

FDD8896

30V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/ DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed. Features VDS (V) =

EVVOSEMI

翊欧

FDD8896

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

FDD8896

N 沟道，PowerTrench® MOSFET， 30V，94A，4.7mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 5.7 mΩ, VGS = 10V, ID = 35V\n•RDS(ON) = 6.8 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35V\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

FDD8896

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01141 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FDD8896

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：130.1 Kbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8896

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：622.66 Kbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8896_F085

30 V、94 A、4.7 mΩ、l DPAKN 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 •rDS(ON) = 5.7mΩ, VGS = 10V, ID = 35A\n•rDS(ON) = 6.8mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDD8896-TP

丝印代码：8896；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features | + 30V,90A Rosin 3.88m0@Vas = 10V (Typ) + Advanced Trench Technology « Provide Excellent Rosow and Low Gate Charge + Lead free product is acquired |

TECHPUBLIC

台舟电子

FDD8896_08

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：622.66 Kbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8896_12

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 94A, 5.7m廓

文件：1.04027 Mbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8896_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：1.04027 Mbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB8896

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm

文件：269.73 Kbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS8896

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：260.529 Kbytes Page：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDU8896

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：130.1 Kbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8896产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    30

  • VGS Max (V)：

    20

  • VGS(th) Max (V)：

    2.5

  • ID Max (A)：

    94

  • PD Max (W)：

    80

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    6.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    5.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    24

  • Ciss Typ (pF)：

    2525

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

FDD8896供应商更多...

更新时间：2026-5-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
FDD8896-F085
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