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FDD86369B

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 80 V, ID= 95A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features | + Advanced trench cell design «Low Thermal Resistance ~~ + Low Gate Charge

TECHPUBLIC

台舟电子

更新时间:2025-9-27 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
25800
原装正品支持实单
ON/安森美
21+P
TO-252
5000
ON
24+
TO252
15000
原装原标原盒 给价就出 全网最低
三年内
1983
只做原装正品
ONSEMI
2025+
55740
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON
24+
DPAK-3 / TO-252-3
25000
ON全系列可订货
ON/安森美
24+
TO-252
60000
全新原装现货
ON(安森美)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询

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