FDD86113LZ价格

参考价格:¥3.2308

型号:FDD86113LZ 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD86113LZ多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD86113LZ批发/采购报价,FDD86113LZ行情走势销售排行榜,FDD86113LZ报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDD86113LZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDD86113LZ

100VN-ChannelMOSFET

Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW
FDD86113LZ

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip
FDD86113LZ

N-ChannelShieldedGatePowerTrench짰MOSFET100V,5.5A,104m廓

文件:244.91 Kbytes Page:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

100VN-ChannelMOSFET

Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

FDD86113LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD86113LZ

  • 功能描述

    MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-31 12:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
21+
TO-252
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