位置:首页 > IC中文资料第3846页 > FDD16AN08A0_Q
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | |||
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m? 文件:242.77 Kbytes Page:11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 58A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 16mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16m? 文件:267.52 Kbytes Page:11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:328.37 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
FDD16AN08A0_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD16AN08A0_Q
- 功能描述
MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
31682 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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FAIRCHILD/仙童 |
1948+ |
TO-252 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
1709 |
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ON/安森美 |
24+ |
D-PAK |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
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FAR |
2023+ |
T0-252 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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ON/安森美 |
21+ |
D-PAK |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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FSC |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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