FDB16AN08A0价格

参考价格:¥6.2360

型号:FDB16AN08A0 品牌:Fairchild 备注:这里有FDB16AN08A0多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDB16AN08A0批发/采购报价,FDB16AN08A0行情走势销售排行榜,FDB16AN08A0报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDB16AN08A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 58A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 16mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

FDB16AN08A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16m?

文件:267.52 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB16AN08A0

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75 V,58 A,16 mΩ

ONSEMI

安森美半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m?

文件:242.77 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:328.37 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

FDB16AN08A0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB16AN08A0

  • 功能描述

    MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
1190
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FAIRCHILD/仙童
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TO-2632L(D2PAK)
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FSC/ON
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