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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5m? 文件：236.88 Kbytes Page：11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | ||
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | ||
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5m? Features • rDS(ON) = 9.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 75A • Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low Qrr Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • Motor / Body Load Control • ABS Systems • Powertrain Management | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =10.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5m? 文件：236.88 Kbytes Page：11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |
FDD10AN06A0_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD10AN06A0_Q
- 功能描述
MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
35 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
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NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
380 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
8210 |
原装正品现货,假一赔十 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
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郑重承诺只做原装进口现货 |
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