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N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5m?

Features • rDS(ON) = 9.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 75A • Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low Qrr Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • Motor / Body Load Control • ABS Systems • Powertrain Management

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB10AN06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB10AN06

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 10:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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