位置:首页 > IC中文资料 > FDB075N15AMOS(场效应管)
型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:339.92 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件:311.35 Kbytes Page:10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =130A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.5 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 130A, 7.5m廓 文件:315.51 Kbytes Page:10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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