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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FD800R33KF2C | SCALE-2 Plug-and-Play Drivers Features Plug-and-play solution Allows parallel connection of IGBT modules For 2-level, 3-level and multilevel topologies Built-in isolated DC/DC power supply (master) Fiber-optic links (master) Built-in interface to 1SP0635D2S1(C) (slave) Duty cycle 0...100 Dynamic Advance | POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司 |   | |
FD800R33KF2C | IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
FD800R33KF2C | IGBT, Brake-Chopper Maximum Rated Values 文件：583.65 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IGBT-Module 文件：123.27 Kbytes Page：9 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
IHM-A module 文件：536.72 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Technische Information / technical information 文件：307.07 Kbytes Page：8 Pages | eupec | | ||
IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 3300V 9600W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 3300V 9600W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
FD800R33KF2C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FD800R33KF2C
- 功能描述
IGBT 模块 3300V 800A CHOPPER
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
907 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
INFINEO |
18+ |
IGBT |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
- |
31500 |
1个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
INFINEON |
23+ |
Module |
7000 |
||||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
10490 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
|||
Infineon |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
FD800R33KF2C规格书下载地址
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2019-11-15
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