FCH7价格

参考价格:¥99.7608

型号:FCH76N60N 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FCH7多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FCH7批发/采购报价,FCH7行情走势销售排行榜,FCH7报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

600V N-Channel MOSFET, FRFET

文件:539.38 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FCH7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FCH7

  • 功能描述

    MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
4638
原装现货,当天可交货,原型号开票
三年内
1983
只做原装正品
FAIRCHILD/仙童
25+
TO247
30
原装正品,假一罚十!
FAIRCHI
1133+
TO-247
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FSC
1926+
TO-247
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
FAIRCHILD
23
TO-247
10500
全新原装现货 假一赔十
FSC
2020+
TO-3P
9500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ON Semiconductor Corporation
25+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
23+
NA
25630
原装正品

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    2019-12-11
  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204(SPM27-BA的包)•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥

    2013-2-15