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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-100V,-16A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-16A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-100V,-20A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-6-21 22:30:01
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TO-251
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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原装正品,假一罚十

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

    2019-12-11
  • FCI连接器61082-121602LF公司优势库存

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    2019-12-11
  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204(SPM27-BA的包)•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥

    2013-2-15