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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
FCH125N60E	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 29A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 125mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
FCH125N60E	Telecom / Sever Power Supplies 文件：793.1 Kbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCH125N60E	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，Easy Drive，600 V，29 A，125 mΩ，TO-247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PJMP125N60FRC	600V N-Channel Super Junction MOSFET Feature:  RDS(ON) Max, VGS@10V: 125mΩ  Fast recovery Qrr/Trr performance  High Speed Switching and Low RDS(ON)  100 Avalanche Tested  100 Rg Tested  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard	PANJIT 強茂	PANJIT
FCP125N60E	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.6 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCP125N60E	Telecom / Sever Power Supplies 文件：1.54589 Mbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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更新时间：2025-10-17 17:35:00

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2024-2-26
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2021-10-20
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15