位置：首页 > IC中文资料第5894页 > FCH10A20
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FCH10A20 | Schottky Barrier Diode 10A 200V Cathode Common SBD Type For High Frequency Rectification FEATURES * High VRM SBD * Low Forward Voltage Drop and Low Noise * Fully Molded Isolation * Dual Diodes Cathode Common | NIEC |   | |
FCH10A20 | Schottky Barrier Rectifier 文件：255.97 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
FCH10A20 | Schottky Barrier Diode 文件：737.82 Kbytes Page：7 Pages | KSS 京瓷 | | |
FCH10A20 | 封装/外壳：TO-220-2 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 F 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | KSS 京瓷 | | |
FCH10A20 | 肖特基势垒二极管(SBD)-肖特基势垒二极管(SBD) | KSS 京瓷 | | |
SBD 文件：144.45 Kbytes Page：1 Pages | NI 恩艾 | | ||
分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD） | KSS 京瓷 | | ||
Low Forward Voltage drop Diode FEATURES * Fully Molded Isolation Case * Ultra – Fast Recovery * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability * 200 Volts thru 600 Volts Types Available | NIEC | | ||
Low Forward Voltage drop Diode FEATURES * Similar to TO-220AB Case * Ultra – Fast Recovery * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability * 200 Volts thru 600 Volts Types Available | NIEC | | ||
Low Forward Voltage drop Diode FEATURES * Similar to TO-220AB Case * Ultra – Fast Recovery * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability * 200 Volts thru 600 Volts Types Available | NIEC | | ||
FAST RECTIFIERS(10A,50-200V) Ultra Fast Recovery Rectifier Diodes ULTRA FAST RECTIFIERS 10 AMPERES 50 -- 200 VOLTS | MOSPEC 统懋 | | ||
Low Forward Voltage drop Diode 文件：104.36 Kbytes Page：4 Pages | NIEC | |
FCH10A20产品属性
- 类型
描述
- 型号
FCH10A20
- 制造商
NIEC
- 制造商全称
Nihon Inter Electronics Corporation
- 功能描述
Schottky Barrier Diode
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIEC |
2026+ |
TO220F |
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FCH10A20规格书下载地址
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2019-12-11FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述 它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15
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