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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
10A07	10ARECTIFIER Features ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto600APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
10A07	10AmpRectifier50to1000Volts Features ●LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto400APeak ●LowReverseLeakageCurrentand	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
10A07	10.0AMPS.SiliconRectifiers VoltageRange50to1000VoltsCurrent10.0Amperes Features ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
10A07	SILICONRECTIFIERDIODES PRV:50-1000Volts Io:10Amperes FEATURES: DiffusedJunction HighcurrentcapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto600APeak LowReverseLeakageCurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC
10A07	10AmpRectifier50to1000Volts Features ●DiffusedJunction ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto600APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial-ULFlammabilityClassification94V-0	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司

FCH10A07供应商更多...

更新时间：2024-6-16 23:15:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富利微电子科技有限公司	10A07-T	DIODES/美台	23+	NA	30000	房间原装现货特价热卖,有单详谈	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	10A07-T	DIODES	21+	R-6	35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	10A07-T	DIODES/美台	23+	R6	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	10A07-T	DIODES/美台	21+	R-6	8080	只做原装,质量保证	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	10A07-T	DIODES/美台	2407+		30098	全新原装!仓库现货,大胆开价!	询价
深圳宝隆芯业科技有限公司	10A07-T	DIODES/美台	23+	R-6	34271	原装正品实单可谈库存现货	询价
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司	10A07-TP	MCC	22+	R-6	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价
深圳市创新迹电子有限公司	10A07	MIC	2023+	08+	8700	原装现货	询价
艾睿国际（香港）有限公司	10A07-T	DIODES/美台	2021+	C0603	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

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2024-2-26
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2021-10-20
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2019-12-11
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204（SPM27-BA的包）•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15