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FCH041N60F价格

参考价格:¥39.7297

型号:FCH041N60F 品牌:Fairchild 备注:这里有FCH041N60F多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FCH041N60F批发/采购报价,FCH041N60F行情走势销售排行榜,FCH041N60F报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

丝印代码:FCH041N60F;MOSFET - N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 76 A, 41 m

Description SUPERFET® II MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide supe

ONSEMI

安森美半导体

FCH041N60F

isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-247 packaging • With low gate drive requirements • Easy to drive • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications

ISC

无锡固电

FCH041N60F

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,FRFET®,600 V,76 A,41 mΩ,TO-247

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件,提高系统可靠性。 •RDS(on)= 36mΩ(典型值)\n•超低栅极电荷(典型值 Qg=277nC)\n•低效输出电容\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

FCH041N60F

FCH041N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 76 A, 41 m廓

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

FCH041N60F

600V N-Channel MOSFET, FRFET

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

600 V、47 A、36 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET™

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 •典型值 RDS(on) = 36 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A)\n•典型值 Qg(tot) = 267 nC(VGS = 10 V、ID = 38 A)\n• 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 720 nF)\n•100%经过雪崩测试\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FCH041N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 76 A, 41 m廓

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel SuperFET짰 II Easy-Drive MOSFET

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

FCH041N60F产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    DC

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    76

  • PD Max (W):

    595

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    41

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    277

  • Ciss Typ (pF):

    10800

  • Package Type:

    TO-247-3

更新时间:2026-5-20 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
21+
TO-247-3
3000
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!!
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  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述 它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204(SPM27- BA的包) •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥

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