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FCH041N60E

N-Channel SuperFET짰 II Easy-Drive MOSFET

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

FCH041N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 77A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 41mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

FCH041N60E

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,600 V,77 A,41 mΩ,TO-247

SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品,采用先进的电荷平衡技术,实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计,不仅可最大程度地减少传导损耗,而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势,与传统的超级结 MOSFET 相比,该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。 •RDS(on)最大值 = 41 mΩ\n•超低栅极电荷(典型值 Qg = 285nC)\n•低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 735pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FCH041N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 76 A, 41 m廓

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

600V N-Channel MOSFET, FRFET

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-247 packaging • With low gate drive requirements • Easy to drive • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications

ISC

无锡固电

FCH041N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 76 A, 41 m廓

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

FAIRCHILD

仙童半导体

FCH041N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    DC

  • VGS(th) Max (V):

    3.5

  • ID Max (A):

    77

  • PD Max (W):

    592

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    41

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    285

  • Ciss Typ (pF):

    10300

  • Package Type:

    TO-247-3

更新时间:2026-5-20 11:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild
26+
TO-247
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO-3P
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
FAIRCHI
23+
TO-247
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onsemi(安森美)
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现货,原厂原装假一罚十!
FAIRCHILD/仙童
2450+
TO-247
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P
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FAIRCHILD/仙童
25+
TO-247
30000
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述 它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204(SPM27- BA的包) •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥

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