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FCH040N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-247 packaging • Drain Source Voltage- : VDSS ≥ 650V • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤ 99mΩ@VGS=10V • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Power supply • Switc

ISC

无锡固电

FCH040N65S3

N-Channel SuperFET MOSFET

Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel SuperFET MOSFET

Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 65 A, 40 m

文件:328.11 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:252.47 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 65 A, 40 m

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-11 17:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-247-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON Semiconductor Corporation
25+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
FAIRCHILD
23+
TO-247-3
28000
原装正品
ON(安森美)
24+
TO-247-3
7904
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ON(安森美)
23+
25900
新到现货,只有原装
ON(安森美)
2511
TO-247-3
4505
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ON/安森美
21+
TO-247-3
8080
只做原装,质量保证
三年内
1983
只做原装正品
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述 它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204(SPM27- BA的包) •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥

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