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FCH023N65S3	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 23mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
FCH023N65S3	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，75 A，23 mΩ，TO-247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCH023N65S3L4	MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 75 A, 23 mΩ Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCH023N65S3L4	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，75 A，23 mΩ，TO-247 4lead	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-12-28 12:00:00

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深圳市能元时代电子有限公司	FCH023N65S3	FSC	23+	TO-247	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
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2024-2-26
FCB110N65F ;TO263正品货源供应商报价中文资料。
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2021-10-20
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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-12-11
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15