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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.62Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

FCD620N60Z FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V 7.3 A 620 m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

更新时间:2025-8-10 9:48:01
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