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6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

N-Channel Power MOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司

NELLSEMI

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-8-6 9:34:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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