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Low VCE(sat) High speed IGBT

Low VCE(sat) High speed IGBT Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • 2nd generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC

IXYS

艾赛斯

Extremely enhanced avalanche capability

General Description Din-Tek Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES ·High speed switching ·High ruggedness,

DINTEK

尚鼎芯

IGBT

General Description Employing NPT technology, Fairchild’s AN series of IGBTs provides low conduction and switching losses. The AN series offers an solution for application such as induction heating (IH), motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies (UPS).

Fairchild

仙童半导体

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件:769.42 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

文件:1.38861 Mbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-28 17:45:01
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    2024-3-13
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    2012-12-5