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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 137A, RDS(ON) = 7.5mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 137A, RDS(ON) = 7.5mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 137A, RDS(ON) = 7.5mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 150A, RDS(ON) = 7.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-3P package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.63854 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-28 16:51:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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    2024-3-13
  • FAN9611MX 原装正品 假一罚十

    原装现货 决无虚假 假一罚百

    2021-12-5
  • FAR-D5PF-881M50-M3E9

    FAR-D5PF-881M50-M3E9

    2019-10-16
  • FB260N

    FB260N,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25
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    2012-12-6
  • FAN8434-3摄像机在1个电机驱动器

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    2012-12-5