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F59D1G161MB

1.8V NAND Flash Memory

FEATURES  Voltage Supply: 1.8V (1.7 V ~ 1.95V)  Organization x8: - Memory Cell Array: (128M + 4M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit x16: - Memory Cell Array: (64M + 2M) x 16bit - Data Register: (1K + 32) x 16bit  Automatic Program and Erase x8: - Page Program: (2K + 64) By

ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc.

晶豪科技晶豪科技股份有限公司

1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory

文件:2.0262 Mbytes Page:54 Pages

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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory

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更新时间:2025-8-6 16:30:00
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