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F3L75R07W2E3价格
参考价格：￥302.0475
型号：F3L75R07W2E3_B11 品牌：Infineon 备注：这里有F3L75R07W2E3多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，F3L75R07W2E3批发/采购报价，F3L75R07W2E3行情走势销售排行榜，F3L75R07W2E3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC 文件：652.17 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 |   | ||
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC 文件：822.11 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V、75 A 三级 IGBT 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC 文件：822.11 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 650V 95A 250W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
F3L75R07W2E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
F3L75R07W2E3
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-EASY1B-2 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
IGBT |
42000 |
只做原装进口现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
MODULE |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
2118+ |
原厂封装 |
6800 |
公司现货全新原装假一罚十特价 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
IGBT |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
550 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
IGBT |
3000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
IGBT |
53 |
原装正品,假一罚十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
模块 |
8590 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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2019-11-21
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