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F3L75R07W2E3_B11价格
参考价格：￥302.0475
型号：F3L75R07W2E3_B11 品牌：Infineon 备注：这里有F3L75R07W2E3_B11多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，F3L75R07W2E3_B11批发/采购报价，F3L75R07W2E3_B11行情走势销售排行榜，F3L75R07W2E3_B11报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
F3L75R07W2E3_B11 | EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC 文件：652.17 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
F3L75R07W2E3_B11 | EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC 文件：822.11 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
F3L75R07W2E3_B11 | 650 V、75 A 三级 IGBT 模块 | Infineon 英飞凌 | | |
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC 文件：822.11 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | |
F3L75R07W2E3_B11产品属性
- 类型
描述
- 型号
F3L75R07W2E3_B11
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
25+23+ |
IGBT |
27822 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
模块 |
9656 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-EASY2B-2 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-EASY2B-2 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
IGBT |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
IGBT |
42000 |
只做原装进口现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AG-EASY2B-2 |
917 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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