型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
F1207

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

20 Watts Push - Pull Package Style AQ HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM,

Polyfet

F1207

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ASSUN

F1207产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F1207

  • 制造商

    Integrated Device Technology Inc

  • 功能描述

    RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS - Bulk

更新时间:2025-9-29 11:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
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