位置：首页 > IC中文资料第8136页 > F1006
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
F1006 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. PolyfetTM process features gold metal for greatly extended | POLYFET |   | |
F1006 | 超快恢复二极管(FRED)芯片 | JSMINGXIN | | |
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F1006产品属性
- 类型
描述
- 型号
F1006
- 制造商
POLYFET
- 制造商全称
Polyfet RF Devices
- 功能描述
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
|||
CHINAXYJ |
23+ |
SMD |
9868 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
16+ |
BGA |
2500 |
进口原装现货/价格优势! |
||||
POLYFET |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
N/A |
25+ |
DIP8 |
550 |
全新原装正品支持含税 |
|||
FUJI |
22+ |
DIP |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
POLYFET |
24+ |
10 |
|||||
POLYFET |
22+ |
TO-57 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
RS PRO |
22+ |
4000 |
原装现货 支持实单 |
||||
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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2019-11-15
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