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F1006中文资料

厂家型号

F1006

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功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

F1006数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications.

Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI,

Laser Driver and others. PolyfetTM process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

F1006产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F1006

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2025-11-30 14:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
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